博天堂918官网地址东微半导获109家机构调研：东微量产的新一代IGBT产品主要应用在光伏逆变、储能、充电桩模块等领域（附调研问答）答：公司采用Fabless运营形式□□，封装测试效劳委托外部竣工，模块封装产线一时没有筹划。
答：公司超等硅系列产物是公司自立研发、功能对标氮化镓功率器件产物的高功能硅基MOSFET产物□。
答：公司属于手艺驱动型功率半导体器件打算公司，按需筑设职员，截至2021年6月30日，公司员工人数为68人□□。另日也会不断吸引公司成长所需求的各方面人才。同时借助于新闻化等权谋提拔公司的运营功用□□。
答：正在功率半导体行业，要害手艺职员是公司取得不断逐鹿力的根底，也是公司不断举办手艺立异和仍旧逐鹿上风的紧要身分之一□□。
答：公司超等硅MOSFET产物是公司自立研发、功能对标氮化镓功率器件产物的高功能硅基MOSFET产物□。通过调节器件构造、优化创制工艺□，打破了古板硅基功率器件的速率瓶颈，具有栅电荷与导通电阻的乘积优值小、工艺成熟度高的特质及上风。
东微半导4月11日颁发投资者相闭行动记实外，公司于2022年3月29日经受109家机构单元调研，机构类型为保障公司、其他、基金公司、海外机构、证券公司、阳光私募机构。
公司的IGBT产物紧要合用于新能源汽车充电桩、变频器、逆变器、电机驱动、电焊机、太阳能等周围。
答：正在研发上□，咱们秉持脚结实地舆念，前瞻构造、久远筹划□。通过科技与成长储蓄资金的增加有用巩固公司的研发才气和策划才气□□，公司也会不断招募引进人才□□，加大研发进入力度□□，开辟出更好的产物。
问：公司超等结MOSFET、中低压障蔽栅MOSFET、IGBT产物产能筹划景况？
答：超等结MOSFET和IGBT均是公司的紧要产物，后续咱们会进一步充足差异的产物规格□，不断优化产物构造，提拔产物功能。
问：请先容公司IGBT产物的手艺特质、产物情势、行使周围以及紧要晶圆代工企业□。
答：公司会凭据手艺成长趋向和终端客户需求连接升级更新现有产物并研发新手艺和新产物，并通过不断的研发进入和手艺立异，仍旧手艺先辈性和产物逐鹿力□。
MOSFET产物紧要合用于工业、消费、新能源汽车等周围，是公司现阶段紧要产物。
问：目前遵循公司的出货景况，是否以超等结MOSFET产物为主，IGBT产物动作一个增加？
对邦际大厂的立异体例、器件商量法子对比熟练□，可能正在器件底层构造方面举办立异。曾正在《Science》上公布过微电子器件商量论文。公司主旨手艺团队研讨半导体周围众年，有丰盛的体味积蓄，正在高压超等结MOS、中低压MOS及IGBT方面也有较众的立异□□。
答：TGBT是一种新型构造的IGBT，杀青了要害手艺参数的大幅优化，具有电流密度大、开闭损耗低、牢靠性高、自回护等特质。
公司的IGBT产物目前紧要以单管为主□□，合用于新能源汽车充电桩、变频器、逆变器、电机驱动、电焊机、太阳能等周围。
答：公司MOSFET产物□，采用了自立研发的优化电荷平均手艺、优化栅极打算及独创的缓变电容主旨原胞构造□□，速率对比疾，栅极振动较小。
答：公司与代工互助伙伴充满依托各自正在手艺研发、分娩创制等方面的上风齐集资源协同成长□，进而抬高各自的逐鹿力，进一步深化公司的手艺上风和产能上风。
IGBT紧要合用于光伏逆变与储能、乘用车OBC、充电桩模块等周围，受益于新能源、光伏的成长，估计另日将发扬出较高景心胸。
问：闭于公司IGBT产物的构造、立异点，与古板构造、本钱方面的对比上风以及眼前行使进显露状。
公司TGBT产物器件构造是一种区别于邦际主流IGBT的立异型器件构造□，正在不抬高创制难度的条件下提拔了功率密度，优化了内部载流子分散，调节了电场与电荷的分散□，同时优化了导通损耗与开闭损耗□□。
答：没有窒碍，公司的晶圆代工企业和封装测试效劳供应商均为行业着名企业，可能很好地杀青硅基产物的分娩创制和封装测试□□。公司的手艺立异及测试，均能取得代工场的接济与主动配合。
答：公司的目的仍然要不断充足产物，抬高产物供应才气□□。同时，依托于上逛产能保护、公司自己手艺迭代提拔产物逐鹿力。
答：最先，目前第三方机构正在超等结MOSFET产物市集统计数据对比有限或低估□□。其次，公司并不是节制于以超等结MOSFET动作简单产物的供应商，对功率板块的其他器件都有商量和涉猎，跟着公司TGBT产物、第三代功率半导体产物的研发与量产等营业的相联开展□□，公司产物的平衡度会进一步抬高。
答：公司正在各产物端的产能分拨是基于公司的策划战术，正在聚焦工业级、车规级行使的根底上□□，仍旧了分别化、合理化的产能分拨;
龚轶先生，硕士结业于英邦纽卡斯尔大学，曾任美邦超微半导体公司工程师□□，德邦英飞凌科技汽车电子与芯片卡部分手艺专家。
答：公司创始人龚轶先生和王鹏飞先生没有正在上海华虹宏力半导体创制有限公司的处事体味□。
答：公司产物通用性对比强，工业级行使、汽车闭连周围、新能源充电桩等是公司的上风周围，车载OBC、光伏逆变器、储能、通讯电源、植物照明等周围也正在不断浸透□□。旨正在优化公司产操行使周围的众元化、平衡化分散。
姑苏东微半导体股份有限公司是一家以高功能功率器件研发与发售为主的手艺驱动型半导体企业，产物用心于工业及汽车闭连等中大功率行使周围。公司依靠出色的半导体器件与工艺立异才气投资者关系□，齐集上风资源聚焦新型功率器件的开辟，是邦内少数具备从专利到量产完全体味的高功能功率器件打算公司之一，并正在行使于工业级周围的高压超等结和中低压功率器件产物周围杀青了邦产化替换□□。公司的紧要产物搜罗GreenMOS系列高压超等结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压障蔽栅MOSFET。公司的产物广大行使于以新能源汽车直流充电桩、5G基站电源及通讯电源、数据中央效劳器电源和工业照明电源为代外的工业级行使周围□□，以及以PC电源、适配器、TV电源板、
问：请轮廓公司发售增加的驱动力有哪些方面？答、（1）邦产替换加快；（2）终端行使市集需求产生；（3）双碳配景下绿色节能需求；（4）公司器件构造、底层手艺立异驱动公司研发出更众高速、高牢靠性的产物获得了终端客户的广大认同。
公司的紧要产物搜罗GreenMOS系列高压超等结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压障蔽栅MOSFET以及超等硅MOSFET、Tri-gate IGBT等产物。同时，公司连接举办手艺立异，尽力于成为邦际领先的功率半导体厂商。
答：公司研发职员的周围可能参考公司告示新闻，研发职员同时掌管器件构造打算和创制工艺□，这是因为功率器件的创制工艺较为异常，奇特是高功能产物的开辟需求器件打算与工艺平台的深度联络，研发团队需对晶圆厂的基准工艺平台举办深度优化和定制打算□，本领创制出更贴合终端客户需求的产物□。
答：中低压MOSFET功率器件往往指处事电压为10V-300V之间的MOSFET功率器件，该类器件愈加合用于低电压的行使场景，如电动用具、智能呆板人、无人机、新能源汽车电机驾御、转移电源、适配器、数码类锂电池回护板等产物中□。中低压MOSFET功率器件构造往往搜罗沟槽栅VDMOS及障蔽栅MOSFET□。
答：苛谨来讲□，TGBT是一种新型构造的IGBT，是基于公司自研专利的立异型器件构造界说的一种IGBT器件。公司仰仗对器件构造打算的立异，杀青了要害手艺参数的优化□。东微量产的新一代IGBT产物紧要行使正在光伏逆变、储能、充电桩模块等周围。
答：公司产物的行使端以大功率段的工业级行使和汽车周围行使为主，其它正在新能源汽车充电桩、5G基站电源及通讯电源、数据效劳器电源等周围都有构造。
问：请问公司中低压障蔽栅MOSFET产物的闭连参数、手艺特质及行使周围？
公司的中低压MOSFET产物均采用障蔽栅构造□，兼备平淡平面MOSFET与古板障蔽栅器件的所长□□，处事电压笼罩25V-150V。
问：请问公司MOSFET、TGBT产物跟其他厂商正在器件构造、工艺上的区别□□？
答：公司的IGBT产物是具有独立常识产权的TGBT器件构造，是一种区别于邦际主流IGBT的立异型器件构造□□，正在不抬高创制难度的条件下提拔了功率密度□，优化了内部载流子分散□□，调节了电场与电荷的分散，同时优化了导通损耗与开闭损耗□□，具有高功率密度、开闭损耗低、牢靠性高、自回护等特质□。
问：公司TGBT产物与IGBT是否齐全差异，请完全先容公司产物正在工艺、构造、下逛行使方面以及公司下逛导入的倾向？
答：目前公司IGBT产物紧要是以单管为主，公司效力正在器件构造、工艺手艺方面做深刻商量□□。基于公司提出的TGBT的手艺与功能上风，正在IGBT单管周围有较强逐鹿力，另日正在模块周围确信也会有逐鹿上风。
答：公司正在第三代半导体周围有必然的手艺积蓄和体味，同时也正在主动闭切和索求闭连产物及其行使。
答：看待出货量对比齐集的大客户，公司会主动给与接济和配合□，按期疏通客户需求并提进步行公司的出货安置。同时□，对其他客户，公司也会凭据策划战术给与产能和产物出货分拨。
答：嵌入式存储器件和功率器件的协同之处：依赖于半导体器件功能，底层的器件物理道理是相通的。
结合创始人王鹏飞先生，博士结业于德邦慕尼黑工业大学□，曾负责德邦英飞凌科技存储器研发中央研发工程师、德邦奇梦达公司（QimondaAG）手艺立异和集成部分研发工程师、复旦大学微电子学院教化。
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问：请公司基于2021年产物发售的行使周围分散瞻望2022年各系列产物的营收构造□□。
苛谨来讲□，TGBT是一种新型构造的IGBT□□，是基于公司自研专利的立异型器件构造界说的一种IGBT器件。公司仰仗对器件构造打算的立异，杀青了要害手艺参数的优化。东微量产的新一代IGBT产物紧要行使正在光伏逆变、储能、充电桩模块等周围。
通过调节器件构造、优化创制工艺，打破了古板硅基超等结功率器件的开闭速率瓶颈，合用于高密度电源模块的行使，如新能源汽车充电桩、工业照明电源、神速充电器、模块转换器、疾充超薄类PC适配器等周围。
正在市集周围上，固然IGBT举座市集周围空间比超等结更大少少，但目前第三方机构正在超等结细分市集的统计新闻对比有限□□，咱们的数据显示超等结的市集空间会比第三方机构预期的更大，且增速会更高。
答：东微正在该周围有必然的手艺积蓄和体味，同时也正在主动闭切和索求闭连产物及其行使。
答：公司是以高功能功率器件研发与发售为主的手艺驱动型半导体企业，产物用心于工业及汽车闭连等中大功率行使周围□。公司依靠出色的半导体器件与工艺立异才气，齐集上风资源聚焦新型功率器件的开辟，是一家具备从专利到量产完全体味的高功能功率器件打算公司。
答：公司跟上逛晶圆代工场签订的是客制化代工允诺□□，与晶圆代工场疏通工艺手艺□，并对该工艺手艺的牢靠性、安静性掌管□□。基于云云的互助形式，公司自立举办芯片功能界说、仿真与外面领会、工艺平台采取以及工艺分娩流程的定制化博天堂918官网地址。
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答：公司的IGBT产物采器材有独立常识产权的TGBT器件构造，是一种区别于邦际主流IGBT的立异型器件构造，正在不抬高创制难度的条件下提拔了功率密度□，优化了内部载流子分散，调节了电场与电荷的分散，同时优化了导通损耗与开闭损耗，具有高功率密度、开闭损耗低、牢靠性高、自回护等特质。
答：同样制程下□，12寸单片晶圆产出的芯片数目会更众，Foundry12寸产线上的机台相对更先辈□，产物精度上也会更好，估计12寸是另日主流趋向。
答：公司产物紧要的下逛行使周围正在新能源汽车直流充电桩、光伏逆变器、储能、新能源汽车车载OBC、5G基站电源及通讯电源、数据中央效劳器电源和工业照明电源等周围。另日会不断发力工业级、汽车闭连周围□。
问：请公司解读主营产物高压超等结MOSFET、中低压障蔽栅MOSFET以及超等硅、TGBT产物正在各周围的分散景况□。
问：跟着友商公司产物构造正在不断优化□□，并渐渐导入头部客户等景况，面临云云的市集逐鹿压力□，东微将若何应对□？
